PMPB10XNE
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NXP Semiconductors PMPB10XNE

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型号

PMPB10XNE

utmel 编号

1964-PMPB10XNE

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

9A, 20V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA THIN, PLASTIC, DFN2020MD-6, 6 PIN

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PMPB10XNE NXP Semiconductors 9A, 20V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA THIN, PLASTIC, DFN2020MD-6, 6 PIN

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PMPB10XNE详情

NXP Semiconductors PMPB10XNE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Package Description

    2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA THIN, PLASTIC, DFN2020MD-6, 6 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    9 A

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • Reach合规守则

    unknown

  • 参考标准

    IEC-60134

  • JESD-30代码

    S-PDSO-N6

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.014 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    36 A

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: NXP Semiconductors PMPB10XNE.

PMPB10XNE拓展信息

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