NXP Semiconductors PMPB11EN
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PMPB11EN
1786-PMPB11EN
晶体管 - 特殊用途
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9A, 30V, 0.0145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC, DFN2020MD-6, 6 PIN
1最小包装量--
PMPB11EN详情
NXP Semiconductors PMPB11EN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
房屋材料
flame retardant plastic
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
DFN
Package Description
2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC, DFN2020MD-6, 6 PIN
Drain Current-Max (ID)
9 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Gross Weight
41.50
Transport Packaging Size/Quantity
39*28*44.3/200
Measurement Range
temperature - 20…+199 °C
Display Diameter
29.5 mm
Mounting Hole Size
Ø22 mm
Teral Type
screw typemin
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
digital LED thermometer series DMS (AD16-22TM B)
端子表面处理
TIN
颜色
blue glow
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
深度
49.3 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
6
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
绝缘电阻
2 MΩ min
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
工作温度范围
-25…+65 °C
漏极-源极导通最大电阻
0.0145 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
34 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
PMPB11EN拓展信息
NXP
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