NXP Semiconductors PSMN1R0-30YLD
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PSMN1R0-30YLD
1964-PSMN1R0-30YLD
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
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PSMN1R0-30YLD详情
NXP Semiconductors PSMN1R0-30YLD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Package Description
SOP-8, 4 PIN
Drain Current-Max (ID)
100 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-235
漏极-源极导通最大电阻
0.0013 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
1441 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
1588 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
PSMN1R0-30YLD拓展信息
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