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NXP Semiconductors PSMN1R1-30BL

Name: PSMN1R1-30BL
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 1964-PSMN1R1-30BL
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

PSMN1R1-30BL

品牌

NXP Semiconductors

utmel 编号

1964-PSMN1R1-30BL

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: TRANSISTOR 120 A, 30 V, 0.0011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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PSMN1R1-30BL NXP Semiconductors Description: TRANSISTOR 120 A, 30 V, 0.0011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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PSMN1R1-30BL详情

技术参数

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NXP Semiconductors PSMN1R1-30BL重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)

120 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

175 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSSO-G2
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.0011 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1456 A
DS 击穿电压-最小值

30 V
雪崩能量等级（Eas）

1900 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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