NXP Semiconductors PSMN2R0-30YL
- 收藏
- 对比
PSMN2R0-30YL
1786-PSMN2R0-30YL
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Description: TRANSISTOR 100 A, 30 V, 0.00263 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4, FET General Purpose Power
1最小包装量--
PSMN2R0-30YL详情
NXP Semiconductors PSMN2R0-30YL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Package Description
PLASTIC, LFPAK-4
Drain Current-Max (ID)
100 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
1206
Case - mm
3216
Capacitors series
KAM
Gross weight
0.469 g
Operating temperature
-55...125°C
容差
±10%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电容量
0.47µF
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
235
JESD-30代码
R-PSSO-G4
资历状况
不合格
电介质
X7R
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-235
漏极-源极导通最大电阻
0.00263 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
667 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
151 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
97 W
饱和电流
1
Operating voltage
50V
PSMN2R0-30YL拓展信息
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors







哦! 它是空的。