NXP Semiconductors PSMN7R0-100PS127

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220AB

厂商

恩智浦半导体

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

269W (Tc)

系列

*

操作温度

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6686 pF @ 50 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

125 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-