NXP Semiconductors PTVS12VZ1USK
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PTVS12VZ1USK详情
NXP Semiconductors PTVS12VZ1USK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Date Of Intro
2016-08-22
Breakdown Voltage-Nom
14.4 V
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
CHIP CARRIER
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
Reach合规守则
unknown
参考标准
IEC-60134; IEC-61000-4-2, 4-5; IEC-61643-321
JESD-30代码
R-PBCC-N2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
CATHODE
Rep Pk反向电压-最大值
12 V
最大非代表峰值转速功率Dis
1900 W
反向电流-最大值
0.2 μA
击穿电压-最小值
13.3 V
最大箝位电压
29 V
反向测试电压
12 V
击穿电压-最大值
15.4 V
PTVS12VZ1USK拓展信息
NXP Semiconductors
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