NXP Semiconductors PUMB10
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PUMB10
1786-PUMB10
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Bipolar (Bjt) Array Transistor, Brt, Pnp, 50 V, 200 Mw, -100 Ma, 100, Sot-363 Rohs Compliant: Yes
--最小包装量--
PUMB10详情
NXP Semiconductors PUMB10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
6
Case/Package
SOT-363
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
100 mV
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
200 mW
极性
PNP
功率耗散
200 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
100 mA
发射极基极电压 (VEBO)
-10 V
高度
1 mm
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
达到SVHC
无SVHC
PUMB10拓展信息
NXP
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NXP Semiconductors
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