NXP Semiconductors PUMD12
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PUMD12
1786-PUMD12
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Bipolar (Bjt) Array Transistor, Brt, Npn, Pnp, 50 V, 200 Mw, 100 Ma, 80, Sot-363 Rohs Compliant: Yes
1最小包装量--
PUMD12详情
NXP Semiconductors PUMD12重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
6
RoHS
Compliant
Collector-Emitter Saturation Voltage
150 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
Case/Package
SOT-363
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
200 mW
极性
NPN, PNP
电压
50 V
电流
1 A
功率耗散
200 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
100 mA
发射极基极电压 (VEBO)
10 V
宽度
1.35 mm
长度
2.2 mm
高度
1 mm
达到SVHC
无SVHC
PUMD12拓展信息
NXP
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NXP Semiconductors
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