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NXP Semiconductors PUMD12

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型号

PUMD12

utmel 编号

1786-PUMD12

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar (Bjt) Array Transistor, Brt, Npn, Pnp, 50 V, 200 Mw, 100 Ma, 80, Sot-363 Rohs Compliant: Yes

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PUMD12详情

NXP Semiconductors PUMD12重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    6

  • RoHS

    Compliant

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    150 mV

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50 V

  • Case/Package

    SOT-363

  • 包装

    切割胶带

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    200 mW

  • 极性

    NPN, PNP

  • 电压

    50 V

  • 电流

    1 A

  • 功率耗散

    200 mW

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50 V

  • 最大集电极电流

    100 mA

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    10 V

  • 宽度

    1.35 mm

  • 长度

    2.2 mm

  • 高度

    1 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

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