NXP Semiconductors PUMD13
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PUMD13
1964-PUMD13
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Bipolar (Bjt) Array Transistor, Npn, Pnp, 50 V, 200 Mw, 100 Ma, 100, Sot-363
1最小包装量--
PUMD13详情
NXP Semiconductors PUMD13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
6
Case/Package
SOT-363
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最大功率耗散
200 mW
极性
NPN, PNP
功率耗散
200 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
达到SVHC
无SVHC
PUMD13拓展信息
NXP Semiconductors
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