NXP USA Inc. BFG135

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

7000 MHz

Manufacturer Part Number

BFG135

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.69

Part Package Code

SOT-223

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT-IN EMITTER BALLASTING RESISTORS

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

最大耗散功率(Abs)

1 W

集电极电流-最大值(IC)

0.15 A

最小直流增益（hFE）

80

集电极-发射器电压-最大值

15 V

最高频段

超高频段

环境耗散-最大值

1 W