BFG591
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NXP USA Inc. BFG591

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型号

BFG591

utmel 编号

1786-BFG591

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN

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BFG591 NXP USA Inc. L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN

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BFG591详情

NXP USA Inc. BFG591重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    7000 MHz

  • Manufacturer Part Number

    BFG591

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Risk Rank

    5.72

  • Part Package Code

    SC-73

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY, LOW NOISE

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.2 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.2 A

  • 最小直流增益(hFE)

    60

  • 集电极-发射器电压-最大值

    15 V

  • 最高频段

    L带

0个相似型号

BFG591拓展信息

BSR14
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NXP USA Inc.

BC817-25W
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BC817W
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BSR19A
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BCP55-16
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BCV49
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PDTA114EE/DG115
PDTA114EE/DG115

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BCX52-16
BCX52-16

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BC856A
BC856A

NXP USA Inc.

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