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NXP USA Inc. PMBT3906
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PMBT3906
1786-PMBT3906
分立半导体产品
--
大陆
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200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
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PMBT3906详情
NXP USA Inc. PMBT3906重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
-250 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40 V
hFEMin
80
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
极性
PNP
电压
40 V
电流
2 A
功率耗散
250 mW
集电极发射器电压(VCEO)
-40 V
最大集电极电流
-200 mA
集电极基极电压(VCBO)
-40 V
发射极基极电压 (VEBO)
-6 V
最大结点温度（Tj）
150 °C
环境温度范围高
150 °C
高度
1.1 mm
达到SVHC
无SVHC
PMBT3906拓展信息
哦! 它是空的。