NXP USA Inc. BFR30

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BFR30

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.16

Part Package Code

SOT-23

Drain Current-Max (ID)

0.01 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

250 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

漏源电压 (Vdss)

25 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

10 mA

JEDEC-95代码

TO-236AB

栅极至源极电压(Vgs)

-25 V

DS 击穿电压-最小值

25 V

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

最大结点温度（Tj）

150 °C

反馈上限-最大值 (Crss)

1.5 pF

高度

1.1 mm