NXP USA Inc. BFU725F,115
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BFU725F,115
1786-BFU725F,115
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SOT-343F
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RF Bipolar Transistors RF NPN Transistor
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BFU725F,115详情
NXP USA Inc. BFU725F,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-343F
表面安装
YES
晶体管元件材料
硅锗
Current-Collector (Ic) (Max)
40mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BFU725
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
EMITTER
功率 - 最大
136mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 10mA 2V
增益
10dB ~ 24dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
2.8V
转换频率
70000MHz
频率转换
70GHz
最大耗散功率(Abs)
0.136W
源Url状态检查日期
2013-06-14 00:00:00
最高频段
C B
噪音数字(分贝类型@ f)
0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BFU725F,115拓展信息
NXP USA Inc.
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