NXP USA Inc. BLT50,115
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BLT50,115
1786-BLT50,115
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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TRANS NPN 7.5V SOT223
1最小包装量--
BLT50,115详情
NXP USA Inc. BLT50,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
1
操作温度
175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BLT50
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
2W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
25 @ 300mA 5V
电压 - 集射极击穿(最大值)
10V
频率转换
470MHz
最大耗散功率(Abs)
2W
最高频段
超高频B型
集电极-基极电容-最大值
6pF
环境耗散-最大值
2W
功率增益-最小值(Gp)
10dB
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BLT50,115拓展信息
NXP USA Inc.
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