NXP USA Inc. BLF246B

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8

Package Style

FLANGE MOUNT

eak Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BLF246B

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.74

Drain Current-Max (ID)

8 A

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-CDFM-F8

资历状况

不合格

配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.75 Ω

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

130 W

最高频段

甚高频段

环境耗散-最大值

130 W

功率增益-最小值(Gp)

14 dB