NXP USA Inc. BLF6G10LS-200RN

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2

Package Style

FLATPACK

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

225 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BLF6G10LS-200RN

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.12

Drain Current-Max (ID)

49 A

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

R-CDFP-F2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

49 A

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最高频段

超高频段