NXP USA Inc. BT150S-600R,118
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BT150S-600R,118
1786-BT150S-600R,118
晶闸管 - SCR
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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BT150S-600R
--最小包装量--
BT150S-600R,118详情
NXP USA Inc. BT150S-600R,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
供应商器件包装
DPAK
终端数量
2
RoHS
Compliant
Package
Bulk
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
Voltage-Off State
600 V
Package Description
PLASTIC, SC-63, DPAK-3/2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BT150S-600R,118
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
WeEn Semiconductor Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Samacsys Description
WEEN SEMICONDUCTORS - BT150S-600R,118 - SCR THYRISTOR, 4A, 600V, TO-252
Ihs Manufacturer
WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD
Risk Rank
0.62
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
125°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
SENSITIVE GATE
HTS代码
8541.30.00.80
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE
箱体转运
ANODE
最大重复反向电压(Vrrm)
600 V
均方根电流(Irms)
4 A
保持电流
6 mA
触发装置类型
SCR
电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值)
1 V
电流-非反复浪涌 50, 60Hz (Itsm)
35A, 38A
最大闸极触发电流 (Igt)
200 µA
最大保持电流(Ih)
6 mA
最大开态电流(It (RMS))
4 A
重复峰值关态电压
600 V
最大开态电流(It (AV))
2.5 A
SCR类型
敏感门
电压 - 通态 (Vtm)(最大值)
1.8 V
最大断态电流
500 µA
重复峰值反向电压
600 V
均方根通态电流-最大值
4 A
直流栅极触发电流(最大)
0.2 mA
辐射硬化
无
BT150S-600R,118拓展信息
NXP Semiconductors
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NXP USA Inc.
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