BTA2008-600E,412
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NXP USA Inc. BTA2008-600E,412

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型号

BTA2008-600E,412

utmel 编号

1786-BTA2008-600E,412

商品类别

晶闸管 - TRIAC

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BTA2008-600E

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BTA2008-600E,412
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BTA2008-600E,412详情

NXP USA Inc. BTA2008-600E,412重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-92-3

  • 终端数量

    3

  • RoHS

    Compliant

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Voltage-Off State

    600 V

  • Package Description

    PLASTIC, SC-43A, 3 PIN

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Leakage Current-Max

    0.5 mA

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    SOT54

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BTA2008-600E,412

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Risk Rank

    5.74

  • Part Package Code

    TO-92

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    125°C (TJ)

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e3

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    125 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • HTS代码

    8541.30.00.80

  • 子类别

    TRIACs

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    O-PBCY-T3

  • 资历状况

    不合格

  • Brand Name

    恩智浦半导体

  • 配置

    Single

  • 元素配置

    Single

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    600 V

  • JEDEC-95代码

    TO-92

  • 均方根电流(Irms)

    800 mA

  • 保持电流

    12 mA

  • 触发装置类型

    4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC

  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值)

    2 V

  • 电流-非反复浪涌 50, 60Hz (Itsm)

    9A, 10A

  • 最大闸极触发电流 (Igt)

    10 mA

  • 最大保持电流(Ih)

    12 mA

  • 最大开态电流(It (RMS))

    800 mA

  • 重复峰值关态电压

    600 V

  • 断态电压临界上升率-最小值

    600 V/us

  • 双向可控硅类型

    Logic - Sensitive Gate

  • 均方根通态电流-最大值

    0.8 A

  • 保持电流-最大

    12 mA

  • 直流栅极触发电流(最大)

    10 mA

  • 直流栅极触发电压(最大)

    2 V

  • 辐射硬化

0个相似型号

BTA2008-600E,412拓展信息

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