NXP USA Inc. BUJD105AD

表面安装

YES

引脚数

2

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400 V

RoHS

Compliant

Package Description

SC-63, DPAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUJD105AD

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

WeEn Semiconductor Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD

Risk Rank

5.48

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最大功率耗散

80 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400 V

JEDEC-95代码

TO-252

集电极电流-最大值(IC)

8 A

最小直流增益（hFE）

8

集电极-发射器电压-最大值

400 V

达到SVHC

无SVHC