NXP USA Inc. BUK762R6-40E118
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BUK762R6-40E118
1786-BUK762R6-40E118
专用 IC
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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NOW NEXPERIA BUK762R6-40E 100A,
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BUK762R6-40E118详情
NXP USA Inc. BUK762R6-40E118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
D2PAK
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
263W (Tc)
系列
*
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.6mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7130 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
91 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
40 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
BUK762R6-40E118拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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