NXP USA Inc. BUK7Y20-30B115
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BUK7Y20-30B115
1786-BUK7Y20-30B115
专用 IC
SC-100, SOT-669
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BUK7Y20-30B115详情
NXP USA Inc. BUK7Y20-30B115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
供应商器件包装
LFPAK56, Power-SO8
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
39.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
59W (Tc)
系列
*
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
688 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11.2 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
BUK7Y20-30B115拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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