NXP USA Inc. BYV25FB-600,118

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Compliant

Package Description

R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BYV25FB-600,118

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

WeEn Semiconductor Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD

Forward Voltage-Max (VF)

1.9 V

Risk Rank

2.04

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

应用

超快软恢复能力

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

接收电极

箱体转运

CATHODE

正向电流

5 A

正向电压

1.9 V

最大反向电压（DC）

600 V

平均整流电流

5 A

相位的数量

1

反向恢复时间

35 ns

峰值反向电流

50 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

600 V

Rep Pk反向电压-最大值

600 V

峰值非恢复性浪涌电流

66 A

最大非代表Pk前进电流

66 A

反向电流-最大值

50 µA

反向恢复时间-最大值

0.035 µs

辐射硬化

无

无铅

无铅