NXP USA Inc. J109,126
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J109,126
1786-J109,126
晶体管 - JFET
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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JFET N-CH 25V 0.4W SOT54
1最小包装量--
J109,126详情
NXP USA Inc. J109,126重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
安装类型
通孔
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
已出版
1996
包装
Tape & Box (TB)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
J109
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
功率 - 最大
400mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
30pF @ 10V VGS
漏极-源极导通最大电阻
12Ohm
DS 击穿电压-最小值
25V
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.4W
反馈上限-最大值 (Crss)
15 pF
源Url状态检查日期
2013-06-14 00:00:00
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
80mA @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
2V @ 1μA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
25V
电阻-RDS(On)
12Ohm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
J109,126拓展信息
NXP USA Inc.
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