NXP USA Inc. J113,126

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

J113

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

400mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6pF @ 10V VGS

漏极-源极导通最大电阻

100Ohm

DS 击穿电压-最小值

40V

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.4W

源Url状态检查日期

2013-06-14 00:00:00

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

500mV @ 1μA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

40V

电阻-RDS(On)

100Ohm

RoHS状态

ROHS3 Compliant