NXP USA Inc. PBLS1503V,115-NXP
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PBLS1503V,115-NXP
1786-PBLS1503V,115-NXP
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
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0.1A 50V 2-ELEMENT NPN AND PNP
1最小包装量--
PBLS1503V,115-NXP详情
NXP USA Inc. PBLS1503V,115-NXP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件包装
SOT-666
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA, 500mA
系列
-
功率 - 最大
300mW
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V, 200 @ 10mA, 2V
最大集极截止电流
1μA, 100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA, 250mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V, 15V
频率转换
280MHz
电阻基(R1)
10kOhms
电阻-发射极基极(R2)
10kOhms
PBLS1503V,115-NXP拓展信息
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