PUMH10,115
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NXP PUMH10,115

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型号

PUMH10,115

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PUMH10,115

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2 NPN pre-biased (Dual) 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS

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PUMH10,115
PUMH10,115 NXP 2 NPN pre-biased (Dual) 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS

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PUMH10,115详情

NXP PUMH10,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    6

  • Permitted cable outer temperature after assembling without vibration

    -40 - 90

  • Rated current In

    4

  • Permitted cable outer temperature during assembling/handling

    -25 - 80

  • Degree of protection (IP)

    IP67

  • Material of contact surface

    Gold

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50 V

  • RoHS

    Compliant

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    PUMH10

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Product Status

    活跃

  • 系列

    *

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    300 mW

  • 最大输出电流

    100 mA

  • 工作电源电压

    50 V

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Dual

  • 齐纳电压

    3 V

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50 V

  • 最大集电极电流

    100 mA

  • 最大击穿电压

    50 V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

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PUMH10,115拓展信息

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