NXP USA Inc. PBLS4002V,115
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PBLS4002V,115
1786-PBLS4002V,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
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TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
1最小包装量--
PBLS4002V,115详情
NXP USA Inc. PBLS4002V,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA 500mA
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
PBLS4002
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
300mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN和PNP
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 10mA 5V / 150 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V 40V
转换频率
300MHz
频率转换
300MHz
最大耗散功率(Abs)
0.3W
电阻基(R1)
4.7k Ω
电阻-发射极基极(R2)
4.7k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PBLS4002V,115拓展信息
NXP
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