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NXP USA Inc. PDTB143EQA147

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型号

PDTB143EQA147

utmel 编号

1786-PDTB143EQA147

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

3-XDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PDTB143EQA SMALL SIGNAL FET

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PDTB143EQA147 NXP USA Inc. PDTB143EQA SMALL SIGNAL FET

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PDTB143EQA147详情

NXP USA Inc. PDTB143EQA147重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    3-XDFN Exposed Pad

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    DFN1010D-3

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    500 mA

  • Product Status

    活跃

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • 系列

    PDTB143

  • 功率 - 最大

    325 mW

  • 晶体管类型

    PNP - Pre-Biased

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    60 @ 50mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    100mV @ 2.5mA, 50mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50 V

  • 频率转换

    150 MHz

  • 电阻基(R1)

    4.7 kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    4.7 kOhms

0个相似型号

PDTB143EQA147拓展信息

PDTA114TE,115
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NXP USA Inc.

PDTC144TE,115
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NXP USA Inc.

PDTA114EE,115
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NXP USA Inc.

PDTC143TE,115
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NXP USA Inc.

PDTC123JE,115
PDTC123JE,115

NXP USA Inc.

PDTC124XE,115
PDTC124XE,115

NXP USA Inc.

PDTC143EE,115
PDTC143EE,115

NXP USA Inc.

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