NXP USA Inc. PDTB143EQA147
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PDTB143EQA147
1786-PDTB143EQA147
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
3-XDFN Exposed Pad
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PDTB143EQA SMALL SIGNAL FET
1最小包装量--
PDTB143EQA147详情
NXP USA Inc. PDTB143EQA147重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
3-XDFN Exposed Pad
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
DFN1010D-3
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
Product Status
活跃
Package
Bulk
厂商
NXP USA Inc.
系列
PDTB143
功率 - 最大
325 mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 50mA, 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 2.5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
150 MHz
电阻基(R1)
4.7 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
4.7 kOhms
PDTB143EQA147拓展信息
NXP USA Inc.
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