NXP USA Inc. PDTC143EE,115
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PDTC143EE,115
1786-PDTC143EE,115
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-75, SOT-416
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TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
1最小包装量--
PDTC143EE,115详情
NXP USA Inc. PDTC143EE,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2003
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DTC143
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
150mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
最大耗散功率(Abs)
0.15W
电阻基(R1)
4.7 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
4.7 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PDTC143EE,115拓展信息
NXP USA Inc.
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