NXP USA Inc. PDTC114EMB315
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PDTC114EMB315
1786-PDTC114EMB315
专用 IC
SC-101, SOT-883
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NOW NEXPERIA PDTC114EMB - SMALL
1最小包装量--
PDTC114EMB315详情
NXP USA Inc. PDTC114EMB315重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SC-101, SOT-883
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
DFN1006B-3
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
系列
*
功率 - 最大
250 mW
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
最大集极截止电流
1µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
230 MHz
电阻基(R1)
10 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
10 kOhms
PDTC114EMB315拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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