NXP USA Inc. PEMB10115
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PEMB10115
1786-PEMB10115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
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PNP/PNP RESISTOR-EQUIPPED TRANSI
1最小包装量--
PEMB10115详情
NXP USA Inc. PEMB10115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件包装
SOT-666
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
系列
Automotive, AEC-Q101
功率 - 最大
300mW
晶体管类型
2 PNP Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
-
电阻基(R1)
2.2kOhms
电阻-发射极基极(R2)
47kOhms
PEMB10115拓展信息
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