NXP USA Inc. PMBFJ620,115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2001

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.75

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MBFJ620

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

190mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

AMPLIFIER

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5pF @ 10V

DS 击穿电压-最小值

25V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.19W

反馈上限-最大值 (Crss)

2.5 pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

24mA @ 10V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

2V @ 1μA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

25V

电阻-RDS(On)

50Ohm

RoHS状态

ROHS3 Compliant