NXP USA Inc. PSMN2R0-60PS127

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

115 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

恩智浦半导体

Power Dissipation (Max)

338W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

338 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

功率耗散

338 W

接通延迟时间

42 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9997 pF @ 30 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

137 nC @ 10 V

上升时间

56 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

120 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

60 V

漏源击穿电压

60 V

输入电容

9.997 nF

场效应管特性

-

漏源电阻

2.2 mΩ

最大rds

2.2 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅