onsemi ESD10201MUT5G

工厂交货时间

1 Week

表面安装

YES

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

onsemi

Package

Bulk

Product Status

活跃

Number of Elements per Chip

1

Supplier Package

X3-DFN

Direction Type

Bi-Directional

ESD Protection Voltage

15@Air Gap/12@Contact Disc kV

Mounting

表面贴装

Package Description

R-PBCC-N2

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

ESD10201MUT5G

Power Dissipation (Max)

0.25 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.8

系列

*

操作温度

-30 to 70 °C

JESD-609代码

e4

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, ULTRA LOW CAPACITANCE

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

参考标准

IEC-61000-4-2, 4-5

JESD-30代码

R-PBCC-N2

极性

BIDIRECTIONAL

配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

Rep Pk反向电压-最大值

21 V

反向电流-最大值

0.2 µA

击穿电压-最小值

21.2 V

最大箝位电压

40.4 V

反向测试电压

21 V