onsemi MBR10200G

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MBR10200G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

台湾半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Forward Voltage-Max (VF)

1.05 V

Risk Rank

5.34

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

应用

EFFICIENCY

附加功能

FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS

技术

SCHOTTKY

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T2

配置

SINGLE

二极管类型

接收电极

箱体转运

CATHODE

输出电流-最大值

10 A

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

200 V

JEDEC-95代码

TO-220AC

最大非代表Pk前进电流

150 A

反向电流-最大值

100 µA