注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥15.440297
10
¥14.566318
100
¥13.74181
500
¥12.963972
1000
¥12.230161
型号
MGSF1N02ELT1G
品牌
onsemi
utmel 编号
1807-MGSF1N02ELT1G
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MGSF1N02ELT1G datasheet pdf and Unclassified product details from onsemi stock available at utmel
起订量
--最小包装量--
¥
总价: ¥
单价: $
请发送询价,我们将立即回复。
MGSF1N02ELT1G详情
技术参数
PDF文档
onsemi MGSF1N02ELT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 318-08
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.17
Part Package Code
SOT-23
Drain Current-Max (ID)
0.75 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.085 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.4 W
达到SVHC
compliant
技术文档: onsemi MGSF1N02ELT1G.
MGSF1N02ELT1G拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)