MMFT2N25ET3
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onsemi MMFT2N25ET3

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型号

MMFT2N25ET3

品牌

onsemi

utmel 编号

1807-MMFT2N25ET3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

起订量

1最小包装量--

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MMFT2N25ET3
MMFT2N25ET3 onsemi SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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MMFT2N25ET3详情

onsemi MMFT2N25ET3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Product Status

    活跃

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    onsemi

  • Package Description

    CASE 318E-04, 4 PIN

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    CASE 318E-04

  • Manufacturer Part Number

    MMFT2N25ET3

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.22

  • Part Package Code

    TO-261AA

  • Drain Current-Max (ID)

    2 A

  • 系列

    *

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-261AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    3.5 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    250 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    10 pF

0个相似型号

技术文档: onsemi MMFT2N25ET3.

MMFT2N25ET3拓展信息

BSS138LT1G
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BSS138L
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NVR5198NLT1G
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NDS0605
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BSS123LT1G
BSS123LT1G

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FDB33N25TM
FDB33N25TM

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FDS4465
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FDS6681Z
FDS6681Z

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NDS355AN
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