NCV51752CBDR2G
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onsemi NCV51752CBDR2G

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型号

NCV51752CBDR2G

品牌

onsemi

utmel 编号

1807-NCV51752CBDR2G

商品类别

隔离器 - 栅极驱动器

封装

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ISOLATED SINGLE CHANNEL GATE DRI

起订量

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NCV51752CBDR2G
NCV51752CBDR2G onsemi ISOLATED SINGLE CHANNEL GATE DRI

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NCV51752CBDR2G详情

onsemi NCV51752CBDR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • 供应商器件包装

    8-SOIC

  • 厂商

    onsemi

  • Qualification

    AEC-Q100

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 零件状态

    活跃

  • 审批机构

    CQC, UL, VDE

  • 电压-隔离度

    3750Vrms

  • 通道数量

    1

  • 高/低输出电流

    4.5A, 9A

  • 上升/下降时间(Typ)

    12ns, 8.3ns

  • 传播延迟(最大延迟差)

    55ns, 55ns

  • 共模瞬态抗扰度(最小)

    200kV/µs

  • 脉宽失真(最大值)

    5ns

  • 电压 - 输出电源

    13.5V ~ 30V

  • 峰值输出电流

    4.5A, 9A

  • 职系

    汽车

0个相似型号

技术文档: onsemi NCV51752CBDR2G.

NCV51752CBDR2G拓展信息

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