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技术文档
型号
NXH450B100H4Q2F2PG-R
品牌
onsemi
utmel 编号
1807-NXH450B100H4Q2F2PG-R
商品类别
晶体管 - IGBT - 阵列
封装
Module
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WI
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NXH450B100H4Q2F2PG-R详情
技术参数
PDF文档
onsemi NXH450B100H4Q2F2PG-R重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
安装类型
底座安装
包装/外壳
供应商器件包装
56-PIM (93x47)
Current-Collector (Ic) (Max)
101 A
Base Product Number
NXH450
包装
Tray
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
零件状态
最后一次购买
配置
半桥逆变器
功率 - 最大
234 W
输入
Standard
最大集极截止电流
600 μA
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.25V @ 15V, 150A
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
9.342 nF @ 20 V
技术文档: onsemi NXH450B100H4Q2F2PG-R.
NXH450B100H4Q2F2PG-R拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号：NXH240B120H3Q1P1G
封装：Module
品牌：onsemi
库存：0
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