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技术文档
型号
NXH600B100H4Q2F2SG
品牌
onsemi
utmel 编号
1807-NXH600B100H4Q2F2SG
商品类别
晶体管 - IGBT - 阵列
封装
Module
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
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NXH600B100H4Q2F2SG详情
技术参数
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onsemi NXH600B100H4Q2F2SG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
底座安装
包装/外壳
供应商器件包装
44-PIM (93x47)
Current-Collector (Ic) (Max)
192 A
Base Product Number
NXH600
包装
Tray
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
零件状态
活跃
配置
三级逆变器
功率 - 最大
511 W
输入
Standard
最大集极截止电流
10 μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1000 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 200A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
13.256 nF @ 20 V
技术文档: onsemi NXH600B100H4Q2F2SG.
NXH600B100H4Q2F2SG拓展信息
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型号:NXH400N100H4Q2F2SG-R
封装:Module
品牌:onsemi
库存:0
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