SBRA2H100T3G详情
onsemi SBRA2H100T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Package Description
R-PDSO-J2
Date Of Intro
2017-12-08
Forward Voltage-Max (VF)
0.79 V
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-65 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
应用
POWER
附加功能
自由旋转二极管
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-J2
配置
SINGLE
二极管类型
接收电极
输出电流-最大值
2 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
100 V
最大非代表Pk前进电流
130 A
反向电流-最大值
8 μA
击穿电压-最小值
100 V
反向测试电压
100 V
SBRA2H100T3G拓展信息








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