NMLU1210TWG
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ON Semiconductor NMLU1210TWG

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型号

NMLU1210TWG

utmel 编号

1807-NMLU1210TWG

商品类别

二极管 - 桥式整流器

封装

8-UDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET Dual N-Channel Full BridgeRectifierUDFN8

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NMLU1210TWG
NMLU1210TWG ON Semiconductor MOSFET Dual N-Channel Full BridgeRectifierUDFN8

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NMLU1210TWG详情

ON Semiconductor NMLU1210TWG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    11 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-UDFN Exposed Pad

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    -55°C~125°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    S-XDSO-N6

  • 元素配置

    Dual

  • 二极管类型

    单相

  • 反向泄漏电流@ Vr

    40μA @ 20V

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.2W

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    450mV @ 2A

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 平均整流电流(Io)

    3.2A

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    2.2A

  • 峰值反向电流

    1mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1.16A

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 漏源电阻

    17mOhm

  • 高度

    500μm

  • 长度

    4mm

  • 宽度

    4mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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NMLU1210TWG拓展信息

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