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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.789172
10
¥8.291671
100
¥7.822331
500
¥7.37956
1000
¥6.961845
ON Semiconductor NMLU1210TWG
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- 对比
NMLU1210TWG
1807-NMLU1210TWG
二极管 - 桥式整流器
8-UDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET Dual N-Channel Full BridgeRectifierUDFN8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NMLU1210TWG详情
ON Semiconductor NMLU1210TWG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
11 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
S-XDSO-N6
元素配置
Dual
二极管类型
单相
反向泄漏电流@ Vr
40μA @ 20V
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.2W
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
450mV @ 2A
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
平均整流电流(Io)
3.2A
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
2.2A
峰值反向电流
1mA
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.16A
漏源击穿电压
20V
漏源电阻
17mOhm
高度
500μm
长度
4mm
宽度
4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NMLU1210TWG拓展信息






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