ON Semiconductor 041N65F
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041N65F
1807-041N65F
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041N65F详情
ON Semiconductor 041N65F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
76 A
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Manufacturer
安森美半导体
Manufacturer Package Code
340CK
Manufacturer Part Number
FCH041N65F-F085
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Part Life Cycle Code
不推荐
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
7.49
Turn-off Time-Max (toff)
402 ns
Turn-on Time-Max (ton)
207 ns
无铅代码
有
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSFM-T3
Brand Name
安森美半导体
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247
最大漏极电流 (Abs) (ID)
76 A
漏极-源极导通最大电阻
0.041 Ω
DS 击穿电压-最小值
650 V
雪崩能量等级(Eas)
2025 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
595 W
反馈上限-最大值 (Crss)
227 pF
041N65F拓展信息







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