041N65F
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ON Semiconductor 041N65F

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型号

041N65F

utmel 编号

1807-041N65F

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

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041N65F ON Semiconductor

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041N65F详情

ON Semiconductor 041N65F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Drain Current-Max (ID)

    76 A

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Manufacturer Package Code

    340CK

  • Manufacturer Part Number

    FCH041N65F-F085

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Risk Rank

    7.49

  • Turn-off Time-Max (toff)

    402 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    207 ns

  • 无铅代码

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • Brand Name

    安森美半导体

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-247

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    76 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.041 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    650 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    2025 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    595 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    227 pF

0个相似型号

041N65F拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS