ON Semiconductor 047N

工厂交货时间

1 Week

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

材料类型

Aluminum

Manufacturer Part Number

118385

Approvals

ASTM

Manufacturer

Brady

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

418AJ

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

FDB047N10, N-channel MOSFET Transistor, 164 A 100 V, 3-Pin D2PAK

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

0.99

Drain Current-Max (ID)

120 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

应用

Cable & Wire Marking

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

164 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0047 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

656 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

1153 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

图例

41

最大耗散功率(Abs)

375 W

背景颜色

Silver

文字颜色

Black