ON Semiconductor 090N10

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

14-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

表面安装

NO

供应商器件包装

14-TSSOP

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

National Semiconductor

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

340AT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

FDP090N10

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

MOSFET PowerTrench N-Ch 100V 75A TO220

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

0.98

Drain Current-Max (ID)

75 A

操作温度

-40°C ~ 125°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

功能

Step-Down

输出的数量

1

资历状况

不合格

输出类型

晶体管驱动器

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输出配置

Positive

操作模式

增强型MOSFET

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

3V ~ 6V

控制功能

Current Limit, Enable, Frequency Control, Power Good, Soft Start, Tracking

拓扑

巴克

晶体管应用

SWITCHING

频率开关

50kHz ~ 1MHz

同步整流器

有

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.009 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

309 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

208 W

占空比（最大）

80%

串行接口

-

时间同步

无

输出相位

1