ON Semiconductor 1N5257BTR

生命周期状态

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触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

引脚数

2

质量

80g

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

容差

±5%

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.50

额定功率

500mW

电压 - 额定直流

33V

最大功率耗散

500mW

终端形式

WIRE

基本部件号

1N5257

工作电压

33V

极性

UNIDIRECTIONAL

阻抗

58Ohm

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

100nA @ 25V

功率耗散

500mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2V @ 200mA

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

100nA

阻抗-最大

58Ohm

测试电流

3.8mA

参考电压

33V

正向电压

1.2V

齐纳电压

33V

最大电压允差

5%

峰值反向电流

100nA

电压允差

5%

ESD保护

无

齐纳电流

3.8mA

直径

1.91mm

长度

4.56mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅