ON Semiconductor 1N5358BG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

T-18, Axial

表面安装

NO

引脚数

0

质量

4.535924g

二极管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

200V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C

包装

Bulk

已出版

2005

容差

±5%

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

额定功率

5W

电压 - 额定直流

22V

最大功率耗散

5W

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

1N5358

引脚数量

0

JESD-30代码

O-PALF-W2

工作电压

22V

极性

UNIDIRECTIONAL

阻抗

3.5Ohm

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

500nA @ 16.7V

功率耗散

5W

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2V @ 1A

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

500nA

阻抗-最大

3.5Ohm

无卤素

无卤素

测试电流

50mA

参考电压

22V

正向电压

1.2V

齐纳电压

22V

最大电压允差

5%

峰值反向电流

500nA

电压允差

5%

齐纳电流

216mA

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅